![](https://gadgetshowto.com/storage/img/images_2/samsungs-new-gddr6-chips-to-feature-in-nvidia-volta-gpus.jpg)
Samsung a anunțat că cipurile sale de memorie GDDR6 de 16 Gb au intrat în producție comercială. Cipurile au fost anunțate la sfârșitul anului trecut și se așteaptă să intre în GPU-uri de gamă și stații de lucru de ultimă generație, care vor fi lansate anul acesta.
Potrivit lui Jinman Han, vicepreședinte senior Samsung pentru planificarea produselor de memorie și inginerie de aplicații, cu noile cipuri, compania speră să își consolideze prezența „Pe piața jocurilor și a plăcilor grafice și să satisfacă nevoia tot mai mare de memorie grafică avansată în sistemele auto și de rețea”.
În timp ce Samsung nu este singura companie care a anunțat cipuri GDDR6, produsul său promite să fie mai rapid decât cele de la concurenții săi, care includ și alte companii tehnologice sud-coreene SK Hynix și Micron. Nvidia este unul dintre producătorii de GPU care se așteaptă să utilizeze cele mai recente cipuri de memorie de pe plăcile sale grafice de ultimă generație bazate pe Volta în 2018, înlocuind cipurile intermediare GDDR5X pe care le-au folosit ca soluție stop-gap. Cu toate acestea, nu este clar imediat dacă AMD va continua să patroneze HBM2 în ciuda tuturor grijilor legate de producție sau dacă va sări și pe GDDR6 ca rivalul său.
Potrivit Samsung, cipurile sale viitoare vin cu o viteză a pinului de 18 Gbps și pot atinge viteze de transfer de date de până la 72 GB / s (pe cip) la doar 1.35v. Pe de altă parte, memoria GDDR5 de generație actuală care se găsește pe GTX 1070 este în jur de 8Mbps, cel mai bine, ceea ce înseamnă că chips-urile de ultimă generație promit să aducă lățimea de bandă dublă și viteze de ceas mai mari la o tensiune similară sau mai mică.
Unele dintre celelalte caracteristici noi includ suport crescut de densitate de la 16 GB în GDDR5 și GDDR5X la 32 GB (max) și viteze crescute de la 12 Gbps la 16 Gbps. Cipurile vor aduce, de asemenea, un nou proces de fabricație pe masă, profitând de tehnologia Samsung de 10 nanomteri (nm), care reprezintă o îmbunătățire semnificativă față de procesul de 20 de nanometri utilizat pentru cipurile GDDR5.