Specificațiile Qualcomm Snapdragon 670, 640 și 460 s-au scurs

După ce a anunțat Snapdragon 845 la începutul acestei luni la Snapdragon Technology Summit, gama Qualcomm pentru 2018 tocmai a fost dezvăluită.

Scurgerea vine de la Weibo, unde au fost postate informații cu privire la platformele mobile Snapdragon 670, Snapdragon 640 și Snapdragon 460. Aceste procesoare vor fi cel mai probabil găsite în smartphone-urile mid-range și bugetare anul viitor și, dacă se crede că scurgerea, va împacheta următorul hardware în interior:

Snapdragon 670:

• 4x Kryo360 Gold 2.0GHz + 4x Kryo385 Silver 1.60GHz
• 1 MB L3 Cache
• GPU Adreno 620
• Modem Snapdragon X16 LTE

Snapdragon 640:

• 2x Kryo360 Gold 2,15GHz + 6x Kryo360 Silver 1,55GHz
• 1 MB L3 Cache
• GPU Adreno 610
• Modem Snapdragon X12 LTE

Snapdragon 460:

• 4x Kryo360 Silver 1.80GHz + 4x Kryo360 Silver 1.40GHz
• GPU Adreno 605
• Modem Snapdragon X12 LTE

Se așteaptă ca Snapdragon 670 să apară cu modemul Snapdragon X16 LTE care îi va oferi viteze de legătură descendentă de 1000 Mbps și viteze de legătură în sus de până la 150 Mbps, întrucât se așteaptă ca Snapdragon 640 și Snapdragon 460 să apară cu modemul Snapdragon X12 LTE, cu viteze de legătură descendentă de 600 Mbps și viteze de legătură în sus de 150 Mbps.

Snapdragon 670 și 640 vor veni cu un ISP Dual 14-bit Spectra 260, permițând smartphone-urile cu SD670 / SD640 pentru a include fie o singură cameră de 26MP, fie o configurare duală de 13MP + 13MP. Pe de altă parte, Snapdragon 460 de nivel inferior va veni cu un singur ISP Spectra 240 de 14 biți și smartphone-urile care se împachetează pe platforma mobilă SD460 vor putea accepta doar o singură cameră de 21MP montare cel mult.

În afară de aceasta, scurgerea susține că Snapdragon 670 va fi construit pe procesul LPP de 10nm, ceea ce înseamnă că va fi mai eficient din punct de vedere energetic decât predecesorul său - Snapdragon 660. Snapdragon 640 va fi construit și pe un nou LPP de 10nm proces pentru îmbunătățirea eficienței. Cu toate acestea, Snapdragon 460 va fi construit pe un proces LPP mai vechi de 14nm în locul procesului mai nou de 10nm.